Transistor silikon karbida (SiC) adalah jenis perangkat elektronika daya baru yang menawarkan kecepatan peralihan yang lebih cepat, kehilangan daya yang lebih rendah, dan toleransi suhu yang lebih tinggi dibandingkan dengan transistor berbasis silikon tradisional.Ini membuatnya ideal untuk digunakan dalam aplikasi berperforma tinggi seperti kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan peralatan industri.

Transistor SiC baru baru-baru ini dikembangkan oleh para peneliti yang bahkan lebih efisien dan lebih cepat daripada desain sebelumnya.Transistor baru, yang disebut transistor SiC "saluran vertikal", memiliki struktur unik yang memungkinkan kontrol yang lebih baik terhadap medan listrik di dalam perangkat.Hal ini menghasilkan kecepatan peralihan yang lebih cepat dan kehilangan daya yang lebih rendah, yang pada gilirannya menghasilkan sistem elektronika daya yang lebih efisien.

Transistor SiC saluran vertikal diharapkan memiliki berbagai aplikasi, termasuk di kendaraan listrik, pusat data, dan sistem energi terbarukan.Hal ini juga diharapkan dapat memainkan peran penting dalam pengembangan sistem elektronika daya generasi mendatang yang lebih efisien, ringkas, dan andal dibandingkan teknologi saat ini.